矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器专利登记公告

专利名称：矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器

摘要： 本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88201030

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：吴宪平; 于连忠

主权项： 一种由硅膜与其上的硅岛、力敏电阻、衬底组成的半导体压力传感器，其特征在于：　　（１）硅岛１在硅膜２的背面，是由各向异性腐蚀形成的两个对称的矩形或近似矩形质量块；（２）力敏电阻３设置在硅膜２的正面，位于两硅岛之间的中心沟槽的对应部位及硅岛与硅膜边框４侧壁之间的边缘沟槽的对应部位；　　（３）两硅岛的端面和器件衬底５之间有一层间隙６。

专利地区：上海