二维密堆积半导体激光器列阵专利登记公告

专利名称：二维密堆积半导体激光器列阵

摘要： 二维密堆积半导体激光器列阵是一种光电子器件。由两层以上、每层排有两只以上大光腔半导体激光器组成。每层之间用银电极隔开，所有电极（包括中间电极和端电极）被粘接剂粘接固定。它具有体积小、功率大、效率高、结构及制造工艺简单、成本低及结构坚固等特点。可用于军事、工业、医疗等领域，以较小的体积提供较大功率的激光束。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88205798.7

专利申请（专利权）人：长春光学精密机械学院

专利发明（设计）人：任大翠; 张兴德

主权项： 一种大光腔半导体激光器列阵，由若干只大光腔半导体激光器及若干片金属电极组成，每只激光器在电极一边缘上一字排列成一层，其特征在于，该激光器列阵由两层以上，每层有若干一字排列的激光器构成，每层激光器由较端电极薄、其它尺寸与端电极相同的中间电极隔开且上下对应。

专利地区：吉林