一种离子轰击减薄装置专利登记公告

专利名称：一种离子轰击减薄装置

摘要： 本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜的观测需求。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88206944

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：王凤莲; 褚一鸣; 陆珉华

主权项： 一种供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置，其特征为，在所设样品室两侧各接一个气流选通阀，选通阀的一个气流选择通道连通样品室与设在两侧的氩气入口，它的另一选择通道连通样品室与设在两侧的碘蒸气升华腔。

专利地区：北京