低碳污染ＳＯＩ石墨加热元件专利登记公告
专利名称：低碳污染ＳＯＩ石墨加热元件
摘要： 一种用于区熔再结晶ＳＯＩ的低碳污染石墨加热元件，由石墨基体和表面覆盖层组成，其特点在于在采用高纯度石墨加工而成的石墨基体表面覆盖一层５～３０__ｍ的热解石墨涂层，该涂层可用化学汽相淀积方法获得。这种石墨加热元件的结构简单，稳定性好，在区熔再结晶过程中可以抑制或排除碳对硅片的污染。由于制造和使用方便，因而有利于推广应用。#J[-130]
专利类型：实用新型专利
专利号：CN88211152
专利申请（专利权）人：南京工学院
专利发明（设计）人：郑其经; 阎宁新
主权项： 一种用于区熔再结晶ＳＯＩ的石墨加热元件，由石墨基体和表面复盖层组成，其特征在于严密复盖石墨基体的表面复盖层采用热解石墨涂层。
专利地区：江苏
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