梁膜结构的半导体压力传感器专利登记公告
专利名称：梁膜结构的半导体压力传感器
摘要： 目前广泛使用的半导体压力传感器采用硅的平膜结构，其线性度在高输出时较差，精度无法提高。本实用新型采用了梁与平膜的组合结构，利用梁结构本身线性较好的特点，并保持了平膜结构的优点，从而制造出一种新型的高精度半导体压力传感器。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN88211369
专利申请（专利权）人：复旦大学
专利发明（设计）人：于连忠; 鲍敏杭; 吴宪平
主权项： 一种梁膜结构的半导体压力传感器，其特征为在硅膜正面的中间部位有一根由正面光刻、浅腐蚀形成的梁条，梁条两边的硅膜成对称形状，为敏电阻设置在梁条的中点处或端点处。
专利地区：上海
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