半导体密封磁力传动快速退火装置专利登记公告

专利名称：半导体密封磁力传动快速退火装置

摘要： 半导体密封磁力传动快速退火装置，属于半导体器件制造的工艺技术。采用高频加热石墨板来对半导体材料进行退火，特点是采用全密封系统，退火前可预抽真空，采用磁力传动来驱动加工样品。经本装置退火的半导体材料具有电激活率高，杂质再分布小等优点，本装置不仅适于浅结，短沟道的超大规模集成电路的加工工艺，特别适于砷化镓（Ｇａ Ａｓ）等多元化合物半导体和其他对痕量氧、水汽极其敏感材料的退火。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88211587

专利申请（专利权）人：上海市交通大学

专利发明（设计）人：史常忻; 忻尚衡; 李晓明

主权项： 半导体密封磁力传动快速退火装置，由石英退火腔５，高频加热线圈７，石墨板８，氢气净化器２，氮气净化器３，保护气体输送管９，红外线测温仪１０及加热控制器１构成，还包括保护气体喷管６，退火腔端帽４，导管１３，石英杆１４，铁块１５，磁钢１６，其特征在于：　　ａ）在上述半导体快速退火装置中，在石英退火腔５内有一个水平放置的“Ｙ”形保护气体喷管６，喷管６内侧开有若干小喷气孔，有一个带有排气管的退火腔端帽４与石英退火腔５的左端密封连接，有一个末端封闭的导管１３与石英退火腔５的右端密封连接，导管１３内有一根石英杆１４，

专利地区：上海