采用CMOS集成电路的接近开关专利登记公告
专利名称:采用CMOS集成电路的接近开关
摘要: 采用CMOS集成电路的接近开关中仅用一片CMOS集成电路中的三个独立的放大器,其中一个放大器构成振荡电路,另两个放大器构成整形电路,未用任何晶体三极管,使接近开关结构紧凑,可靠性高,抗干扰性能好,输出电平信号质量高,便于与计算机采样电路连接,功耗极低,可用电池电源供电,能在低温-55℃至高温+125℃环境下全年候工作,适用于各种运动设备的位置信号检测及往复运动频率采样的场合。
专利类型:实用新型专利
专利号:CN88214296.8
专利申请(专利权)人:刘利民
专利发明(设计)人:刘利民
主权项: 一种电磁感应非接触、无触点接近开关,由振荡、整流滤波、整形输出电路组成,其特征在于振荡与整形输出共用一片CMOS集成电路,传感器L与集成电路为导线焊接连接。
专利地区:北京
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