磷化镓发光二极管专利登记公告

专利名称：磷化镓发光二极管

摘要： 一种能使发光效率提高一倍的磷化镓发光二极管，其特征是采用含有Ｎ_１—Ｎ_２—Ｎ^-—Ｐ^-—Ｐ五层结构的芯片材料，其中处延层Ｎ^-和Ｐ^-晶体均具有良好的结晶完整性，厚度只有几个微米。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88215651.9

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：华伟民; 丁祖昌

主权项： 一种含磷化镓芯片、引线、管座、封装树脂构成的磷化镓发光二极管，其特征在于：制作芯片的外延材料是由Ｎ↓〔１〕—Ｎ↓〔２〕—Ｎ↑〔－〕—Ｐ↑〔－〕—Ｐ五个磷化镓层组成，其中Ｎ↓〔１〕是ｎ型基片，Ｎ↓〔２〕是在基片Ｎ↓〔１〕上生长的ｎ型外延层，Ｎ↑〔－〕是在外延层Ｎ↓〔２〕上生长的低浓度ｎ型外延层，Ｐ↑〔－〕是在外延层Ｎ↑〔－〕上生长的低浓度ｐ型外延层，ｐ是在外延层Ｐ↑〔－〕上生长的ｐ型外延层，外延层Ｐ↑〔－〕和外延层Ｎ↑〔－〕间界面构成Ｐ↑〔－〕Ｎ↑〔－〕结。

专利地区：浙江