薄硅片扩散硅力敏元件芯片专利登记公告

专利名称：薄硅片扩散硅力敏元件芯片

摘要： 本实用新型提供一种改进的扩散硅力敏元件芯片。它取消传统的采用设备加工芯片的方法，而用直接加工成的薄硅片与玻璃环或硅环封接成一体，组装成芯片。其薄硅片的厚度等于应变膜片的厚度，玻璃环或硅环的内径等于应变膜片的直径。由于薄硅片的表面加工光洁度高，可明显提高扩散硅力敏元件性能。因取消了专用设备，简化操作工艺，故可节省设备投资，降低扩散硅力敏元件的制造成本。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88216636.0

专利申请（专利权）人：王德福; 段祥照; 涂季平; 孙石杨

专利发明（设计）人：王德福; 段祥照; 涂季平; 孙石杨

主权项：一种薄硅片扩散硅力敏元件芯片，其特征是采用薄硅片和玻璃环封接而成，直接加工成的薄硅片厚度等于应变膜片的厚度，其厚度为２００～４００ｕｍ。

专利地区：辽宁