立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室专利登记公告

专利名称：立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室

摘要： 一种利用磁控溅射镀膜技术向各种平面材料，特别是玻璃表面镀各种材料薄膜的立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室，由镀膜室和磁控靶组成。本实用新型通过合理地分配磁控靶与各点的间隔，合理地解决了磁场均匀分布的问题，从而使立式真空镀膜机可以用于工业化生产。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88216736.7

专利申请（专利权）人：韩久君

专利发明（设计）人：韩久君; 肖信才

主权项： 一种利用磁控溅射镀膜技术向各种平面材料，特别是玻璃表面镀各种材料薄膜的立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室，由镀膜室和磁控靶组成，其特征在于镀膜室内磁控靶的长度与镀膜室的长度相同，直径为７５～８５ｍｍ，磁控靶中心距两侧的距离不大于５００～５５０ｍｍ，最下和最上面的磁控靶距底面和顶面的距离均不大于３５０～４５０ｍｍ，两个磁控靶之间的距离不大于５５０～６５０ｍｍ，镀膜室的大小可根据需要设计，磁控靶的多少根据镀膜室的大小设计。

专利地区：辽宁