陶瓷自成靶中子管专利登记公告

专利名称：陶瓷自成靶中子管

摘要： 该实用新型属中子发生装置$该实用新型采用稀土磁钢，设计离子原磁路系统。采用锆—石墨储存器，可伐合金为加速电极，利用陶瓷做为自成靶材料。使中子管热稳定性好。在自然冷却条件下耐离子束流高，可达８００μＡ，产额高，可达２×１０⁹ｎ／ｓ。使用寿命长、成本低、加工制作容易。重量轻，便于携带。消耗功率小，操作管理容易。适于流动作业，易于推广应用。可用于科学研究及工农业生产。如：中子探矿、测井，中子辐照养蚕、养虾等。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN88220224.3

专利申请（专利权）人：东北师范大学

专利发明（设计）人：魏宝杰; 岳成波; 董艾平; 李文生; 李文杰

主权项： 一种由绝缘外壳；储存器、离子源、加速电极和靶构成的中子管，其特征在于靶［１］为陶瓷自成靶。

专利地区：吉林