双栅ＭＯＳ器件专利登记公告
专利名称：双栅ＭＯＳ器件
摘要： 本实用新型公开了一种双栅ＭＯＳ器件，它有两个不同厚度的氧化物栅区，并有各自分开的金属层栅极，源极和漏极均保持单一。这种器件的厚栅栅压—沟道电导线性特性可由薄栅栅压进行调节，它能满足在宽广数值范围内进行电压—电导线性变换的应用需求。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN88220839.X
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：林雨; 陆文兰; 王志英
主权项： 一种金属－氧化物－半导体器件，其特征在于，它有两个不同厚度的氧化物栅区，并在这两个栅区上分别设置金属层栅极，两个栅区两侧的源极以及漏极均互相连通为单一的源极与漏极。
专利地区：北京
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