一种硅的光传感器专利登记公告
专利名称：一种硅的光传感器
摘要： 本实用新型公开了一种集成硅光电池的光传感器芯片结构，它的每一单元P-n结硅光电池均设置在一个无绝缘层复盖的沟槽网格内。采用这样的结构能够显著提高产品的性能与合格率。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN89202565.4
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：李远境; 赵雅珠
主权项： 一种集成硅光电池的光传感器，其特征在于，芯片中的每一单元Ｐ—ｎ结硅光电池均设置在由无绝缘层复盖的沟槽所包围的一个网格中。
专利地区：北京
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