高稳定半导体氢敏传感器专利登记公告
专利名称：高稳定半导体氢敏传感器
摘要： 本实用新型公开了一种包含钯栅ＭＯＳ器件的高稳定氢敏半导体传感器，它使一个氢敏钯栅ＭＯＳ器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅ＭＯＳ器件、一个测温二极管与加热电阻集成在一块硅芯片上，用这样的氢敏半导体传感器组装成补偿电路的氢气检测装置具有高度稳定可靠的氢气检测性能。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN89206041.7
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：徐永祥
主权项： 一种包含钯栅ＭＯＳ器件的高稳定半导体氢敏传感器，其特征在于，它由一个氢敏钯栅ＭＯＳ器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅ＭＯＳ器件、一个测温元件以及加热元件组成。
专利地区：北京
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