十字梁岛结构的硅力传感器专利登记公告

专利名称：十字梁岛结构的硅力传感器

摘要： 本实用新型属半导体力传感器领域，包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式，力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处，用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比，本器件体积小，灵敏度高，而且稳定性、一致性也好，成本也较低。可广泛应用于小量程范围的力的测量、医用脉波测量等领域。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN89208086.8

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：王言; 鲍敏杭

主权项： 一种半导体力传感器，由硅膜芯片、力敏电阻、陶瓷管座、玻璃底板几个部分组成，其特征在于：　　（１）所说的硅膜芯片为十字梁、岛结构：　　（ａ）硅岛为正方形，边长为芯片线度的１／４～１／２，　　（ｂ）硅岛四边中点部位与芯片边框有四条硅梁连接，硅梁长度为硅岛边长的１／１０～１／２，厚度为硅岛厚度的１／１０～１／２，宽度为其长度的１／１０～１／２；　　（２）力敏电阻设置在硅梁接近边框的端点处；　　（３）硅岛厚度比芯片边框的厚度小２～３０微米，以形成过载保护。

专利地区：上海