辐射测量传感器专利登记公告

专利名称：辐射测量传感器

摘要： 本实用新型涉及一种辐射测量传感器，尤其用于测量γ辐射强度，传感器主要包括上部、底部法兰、底盘、电极，电极绝缘盘，前置放大器，绝缘部件，“Ｏ”形橡皮圈，多芯电缆以及排气管等部件，传感器采用多层电极结构，以及扩大了绝缘子底座尺寸和增加防潮釉涂层以及在绝缘子底座与法兰之间设置过渡不锈钢绝缘子座结构，整个传感器采用碳钢，使抗冲击强度绝缘强度增加成本低廉，易加工等优点，可用于核辐射装置中对核辐射强度，尤其是γ辐射的测量。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN89208382.4

专利申请（专利权）人：北京华海新技术开发公司

专利发明（设计）人：谢程远; 刘新民

主权项： 一种辐射测量传感器，主要包括上部、底部法兰１，１０，底盘２，电极绝缘盖３，外保护筒４，电极５、６、７、８，上电极绝缘盖９，前置放大器１２，上底盘１３，陶瓷绝缘部件１４、１５、１６，前放筒１７，前放封口板１９，“０”形橡皮圈１９、２０，多蕊电缆座２１以及排气管２２，其特征是所述的电极采用多层电极，如第一电极５，第二电极６，第三电极７，第四电极８，所述的陶瓷绝缘部件包括绝缘子底座１４，陶瓷绝缘柱１５，和绝缘子上盖，在所述的绝缘柱１５外围表面上涂以防潮釉２４，在陶瓷绝缘柱１５的下部设有绝缘子底座１４，底座１４

专利地区：北京