位移传感器专利登记公告

专利名称：位移传感器

摘要： 本实用新型是一种采用电感调频原理的位移传感器。其特征在于：采用了ＣＭＯＳ振荡电路集成块，导杆采用耐腐蚀、高弹性、高导磁软磁合金，线圈骨架采用温度系数小的绝缘材料，同时改进了线圈骨架和壳体的形状，使用了密封圈和可固化胶，不仅提高了传感器的灵敏度和稳定性，而且密封严密，极适用于水或其它液体中的位移测量。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN89209261.0

专利申请（专利权）人：中国人民解放军空军工程设计研究局

专利发明（设计）人：王德盛

主权项： 一种位移传感器，包括电容（１６），其特征在于：壳体分为筒壳（１１）、导管（６）和后盖（２０）三部分；筒壳（１１）内带有中心小孔的中间隔板（１３）将其分隔为两个腔室，一个装线圈（２），一个装ＣＭＯＳ振荡电路集成块和电容；导杆（４）一端端部加工成半球形；导杆上套有弹簧（５）；线圈（２）有骨架（３），骨架开口端外周有螺纹和密封环形槽（１０），另一端封闭；导管（６）和后盖（２０）中心孔内分别装有“Ｏ”形密封圈（８）和（２１）。

专利地区：北京