宽束冷阴极离子源专利登记公告

专利名称：宽束冷阴极离子源

摘要： 本实用新型是宽束冷阴极离子源，用于薄膜离子束辅助淀积的装置，其主要部件是冷阴极、阳极和一个以上多孔引出栅组成的放电室，放电室处于永磁体形成的磁场中，该离子源可安装于各类真空镀膜机中，具有离子束束流密度和离子能量调节范围大，束径大，束流分布均匀，寿命长，性能受工作气体种类影响小。$本实用新型结构简单，制造容易，使用方便，并广泛使用于铝、银、金、硫化锌、氟化镁及多种氧化物薄膜的离子束辅助淀积，比用常规工艺制得的薄膜强度高，化学稳定性和光学稳定性优良。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN89217519.2

专利申请（专利权）人：西安工业学院

专利发明（设计）人：严一心; 夏慧琴; 卢进军; 王树棠; 刘吉祥; 刘卫国

主权项： 一种宽束冷阴极离子源，由冷阴极［１］，阴极座［６］，阳极［２］、永磁体［５］和一个以上的多孔引出栅［３］、［４］组成，其特征在于采用阳极径向尺寸１０～２００ｍｍ，截面为园形、椭园形和多边形的柱状或锥状；离子束引出系统由一个以上的多孔引出栅构成；阳极、冷阴极和多孔栅构成放电室；放电室周围放置钴合金永磁体。

专利地区：陕西