直流驱动型超导量子干涉仪元件及其制造方法专利登记公告

专利名称：直流驱动型超导量子干涉仪元件及其制造方法

摘要： 本发明提供了一种ＤＣＳＱＯＩＤ元件及其制造方法，它是在基板上将超导薄膜图案成型，从而产生ＳＱＵＩＤ环、反电极、调制线圈以及输同线圈，并将它们叠成层，ＳＱＵＩＤ环和反电极由通过壁垒层的电桥在两处弱连接，得到两个约瑟夫逊结合部，其中，上述ＳＱＵＩＤ环是设置在元件的最下层，而反电极设置在最上层。用上述方法制成的ＤＣ－ＳＱＵＩＤ元件可调整临界电流值。

专利类型：发明专利

专利号：CN91108930.6

专利申请（专利权）人：株式会社岛津制作所

专利发明（设计）人：品田惠

主权项： 一种ＳＱＵＩＤ元件，它是在基板上分别将超导薄膜进行图案成形而形成的ＳＱＵＩＤ环、反电极、调制线圈及输入线圈层叠的同时，使上述ＳＱＵＩＤ环和反电极中间介一壁垒层，用电桥在两处相互较弱地结合，从而获得两个约瑟夫逊结合部，其特征在于上述ＳＱＵＩＤ环是设置在最下层，且在最上层设置反电极。

专利地区：日本