制造氮化铝陶瓷的低温烧结方案专利登记公告

专利名称：制造氮化铝陶瓷的低温烧结方案

摘要： 具有适于电子学封装应用的令人满意特性的氮化铝陶瓷，可由新的氮化铝粉末／烧结助剂的混合物制备。烧结助剂包括氧化铝、氧化钙和氧化硼形成的玻璃组分和非玻璃组分，此非玻璃组分包括IIa族金属、IIIa族金属或镧系金属的元素或化合物，优选地是结晶氧化物，所述金属的元素或化合物可与结晶的玻璃组分以及AIN颗粒中的氧化铝发生反应。或者，该烧结助剂包括通过熔化和其后反应时结晶能够形成上述组分的多组分玻璃组合物。

专利类型：发明专利

专利号：CN94195029.8

专利申请（专利权）人：金刚砂公司; 国际商业机器公司

专利发明（设计）人：J·H·哈里斯; S·L·辛迪; T·高森; R·A·杨格曼

主权项：1、氮化铝粉末／烧结助剂的预烧结混合物，其中氮化铝含有杂质氧化铝，和烧结助剂包括a）选自Ⅱa族金属，Ⅲa族金属，镧系金属或其混合物的元素或化合物，和b）由氧化铝，氧化钙和氧化硼形成的玻璃组分，所述金属的元素或化合物与玻璃组分和AIN中的氧化铝可发生反应。

专利地区：美国