对靶式直流磁控离子溅射台专利登记公告
专利名称：对靶式直流磁控离子溅射台
摘要： 本实用新型是对靶式直流磁控离子溅射台，属于电子镀膜技术领域。现有的磁控溅射台均采用双层环形磁体结构，靶材利用率低，耗电量大，成膜速率低。本实用新型的目的在于解决靶材利用率，成膜质量等问题。采用Ｕ形磁体结构，在两极之间形成均匀的辉光放电区，磁极间距可以调节，靶可得到充分利用，成膜速率高、均匀，质量好，结构紧凑，便于放入真空系统，利于推广使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN94213595.4
专利申请（专利权）人：南开大学
专利发明（设计）人：阎少林
主权项： 一种由正、负磁极构成的对靶式直流磁控离子溅射台，其特征在于它是由磁体［４］、导磁体［８］、靶［９］、基片支架［５］、阳极板［１］构成。
专利地区：天津
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