晶体管脉宽调速装置保护器专利登记公告
专利名称：晶体管脉宽调速装置保护器
摘要： 晶体管脉宽调速装置保护器，可控硅Ｔ与电阻Ｒ1并接，可控硅阴极接电机Ｍ的线圈端子，阳极接晶体管脉宽调速装置输出端，电阻Ｒ2的一端接可控硅Ｔ的控制极，另一端通过开关Ｋ1接可控硅Ｔ的阳极，二极管Ｄ与电阻Ｒ4并接后，二极管Ｄ的正极接可控硅Ｔ的阴极，其负极接可控硅Ｔ的控制极，开关Ｋ2跨接在可控硅Ｔ的阳极和阴极之间，它可以使调速装置的晶体管使用寿命长１０—１５倍。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN94236279.9
专利申请（专利权）人：裴广杰
专利发明（设计）人：裴广杰
主权项： 晶体管脉宽调速装置保护器，包括电机Ｍ、晶体管脉宽调速装置Ａ和保护器Ｂ，其特征在于保护器Ｂ由电阻Ｒ↓［１］和可控硅短接电路组成，可控硅短接电路由电阻Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、可控硅Ｔ、二极管Ｄ和开关Ｋ↓［１］、Ｋ↓［２］组成，可控硅Ｔ与电阻Ｒ↓［１］并接，可控硅阴极接电机Ｍ的线圈端子，阳极接晶体管脉宽调速装置Ａ输出端，电阻Ｒ↓［２］的一端接可控硅Ｔ的控制极，另一端通过开关Ｋ１接可控硅Ｔ的阳极，二极管Ｄ与电阻Ｒ↓［４］并接后，二极管Ｄ的正极接可控硅Ｔ的阴极，其负极接可控硅Ｔ的控制极，开关Ｋ↓［２］
专利地区：湖北
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