高灵敏度光敏电容器专利登记公告

专利名称：高灵敏度光敏电容器

摘要： 高灵敏度光敏电容器可用作光电子集成电路输入端的光敏传感器，由硅衬底、介质层和金属电极层组成，介质层采用二氧化硅（ＳｉＯ_２）和五氧化二钽（Ｔａ_２Ｏ_５）双层介质膜，铝膜电极可做成网状结构或梳状结构，属于ＭＩＳ型结构，具有光敏灵敏度高、温度稳定性好等优点，其输入阻抗可高达１０^１５～１０^１６Ω／ｃｍ^２，制作工艺简单，稳定性和可靠性好。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN94241752.6

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：刘光廷

主权项： 一种可用作光电子集成电路输入端光敏传感器的高灵敏度光敏电容器，由硅衬底、介质层和金属电极层组成，其特征在于介质层采用二氧化硅（ＳｉＯ↓［２］）和五氧化二钽（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）双层介质膜。

专利地区：江苏