可控硅逆变器保护装置专利登记公告

专利名称：可控硅逆变器保护装置

摘要： 一种可控硅逆变器保护装置，在原有可控硅保护电路的基础上，增加了保护元件、隔离电路和短路电路。由于保护元件的快速恢复二极管反向击穿特性灵敏，防止了保护可控硅的击穿损坏，同时通过隔离电路，使输入直流端短路，切断了输入给保护可控硅的电压，使可控硅逆变器得到过流保护，防止在下周期出现高压脉冲冲击可控硅。该保护电路适用于高频、高电压、大电流可控硅逆变器的可控硅保护。具有保护效果好可靠的特点。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN94242112.4

专利申请（专利权）人：无锡宝通电子有限公司

专利发明（设计）人：丁立三

主权项： 一种可控硅逆变器保护装置，由连接保护可控硅的电流信号反馈电路、三相全控整流桥、谐振槽路、压敏电阻、电压信号反馈电路、保护电路、移相电路、整流触发电路组成的保护电路；其特征在于所述的组成保护电路的可控硅还依次连接由保护元件、隔离电路和短路电路，所述的保护元件由二极管Ｖａ－１、Ｖａ－２和电阻Ｒａ－１组成，所述的隔离电路由光电耦合器件ＩＣＡ－１构成，所述的短路电路由三极管Ｖａ－３、短路可控硅Ｖａ－４、电阻Ｒａ－２、Ｒａ－３、Ｒａ－４的电源Ｐ１构成，Ｖａ－１、Ｖａ－２的正极相连接，Ｖａ－１的负极连接保护可控硅的

专利地区：江苏