半导体器件中接触的形成方法专利登记公告

专利名称：半导体器件中接触的形成方法

摘要： 公开了一种半导体器件的接触的形成方法，在半导体衬底上淀积有不同腐蚀速率的绝缘膜和金属氧化物膜，形成光刻胶图形，使其宽度是用常规曝光设备所能达到的最小线宽。用光刻胶图形腐蚀绝缘膜和金属氧化物膜时，由于彼此的腐蚀速率不同，使构成的接触孔比其常规接触孔更精细。而且不必购置另外的设备就能制成精细接触孔，可用于具有较高集成度的半导体器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN96104049.1

专利申请（专利权）人：现代电子产业株式会社

专利发明（设计）人：赵景洙

主权项：1、半导体器件的接触的形成方法，包括以下工艺步骤：在半导体衬底上形成有不同腐蚀速率的第一和第二膜，然后，在第二膜上形成第一光刻胶图形；用所述第一光刻胶图形腐蚀第二膜；然后除去第一光刻胶图形，由此形成第一孔；在整个所得结构上形成其腐蚀速率比第一和第二膜的腐蚀速率慢的第三膜，以填充下面的结构；除去第三膜直至露出所述第二膜，因而只有所述第一孔填充有第三膜；为了只露出第二膜与第三膜相互接触的有限面积，形成第二光刻胶图形；用第二光刻胶图形腐蚀所述第三膜、第二膜和第一膜，由此形成接触孔，并除去第二光刻胶图形；在所述接触孔中形成接触塞；和在所述第二膜上形成金属互连线以与所述接触塞构成接触。

专利地区：韩国