非易失性半导体存储装置专利登记公告

专利名称：非易失性半导体存储装置

摘要： 在具有分别保持第１数据和第２数据的第１触发器电路和第２触发器电路、和已连到这些触发器电路上的位线和存储单元的非易失性半导体存储装置中、用第１触发器进行下位位的读出和数据装入，用第２触发器进行上位位的读出和数据装入。本发明可以容易地进行多值存储单元的读出、写入、验证而不需大规模地增加电路规模，也不必应用微细加工技术、其结果可以实现低造价的非易失性半导体存储装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN96105871.4

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：伊藤宁夫

主权项：1．一种非易失性半导体存储装置，在具有分别保持第1数据和第2数据的第1触发器电路和第2触发器电路和已连到这些触发器电路上的位线及存储单元，其特征在于：用第1触发器电路进行下位位的读出和数据装入、用第2触发器电路进行上位位的读出和数据装入。

专利地区：日本