半导体瓷器及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体瓷器及其制造方法

摘要： 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO₃、SrCO₃、Pb₃O₄、CaCO₃、TiO₂、Er₂O₃、MnCO₃和SiO₂，使其形成(Ba_0.0536Pb_0.08Sr_0.20Ca_0.18Er_0.04)TiO₃+0.0004Mn+0.02SiO₂的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。

专利类型：发明专利

专利号：CN96106935.X

专利申请（专利权）人：株式会社村田制作所

专利发明（设计）人：阿部吉晶; 并阿康训; 胜木隆与; 鬼头范光

主权项：1．一种具有正的电阻温度特性的钛酸系列的半导体瓷器，其特征在于，所述半导体瓷器的表面部与中心部之间的电阻值高于所述半导体瓷器的表面部或中心部的电阻值。

专利地区：日本