有机/无机异质结光电探测器专利登记公告

专利名称：有机/无机异质结光电探测器

摘要：一种有机/无机异质结光电探测器，由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成，其特征在于芯片(4)是以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6)，其表面为真空蒸发的有机半导体材料PTCDA层(7)；PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8)；基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。该光电探测器利用真空蒸发的方法形成有机/无机同型异质结复合层结构，在p-n结的形成原理和方法上明显创新，从而使工艺大大简化，不需要光刻及扩散，因此降低了生产成本，并提高了成品率，经测试：具有对光的带宽(450nm～1100nm)响应宽，量子效率高(光—电转换效率可达100％)，适于大批量生产，且在低、高温使用环境稳定性及可靠性好等特点。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02252447.9

专利申请（专利权）人：兰州大学

专利发明（设计）人：张福甲;张旭

主权项：1、一种有机/无机异质结光电探测器，由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成，其特征在于：光电探测器的芯片(4)采取有机/无机同型异质结复合层结构，即以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6)，其表面为真空蒸发的有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7)；有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8)；p-Si单晶基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。

专利地区：甘肃