一种新型结构的硅太阳能电池专利登记公告

专利名称：一种新型结构的硅太阳能电池

摘要：本实用新型为一种新型结构的硅太阳能电池，由硅衬底、n型材料和金属电极引线构成，其中，n⁺区与p⁺区设计成梳状交叉的结构形式，使P区被n⁺区部分覆盖。此结构中，由n⁺区与衬底构成一个纵向的p-n结，在硅片表面横向形成一个n⁺-p-p⁺结。试验证明，本结构的太阳能电池具有更高的效率。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02288229.4

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：张翔九;胡际璜

主权项：1、一种硅太阳能电池，由硅衬底、n型材料和金属电极引线构成，其特征在于n+区和p+区成梳状交叉结构形式，使p区被n+区部分覆盖；n+区的电极自表面引出，p+区的电极自表面和背面同时引出。

专利地区：上海