减少微尘产生的等离子蚀刻方法专利登记公告

专利名称：减少微尘产生的等离子蚀刻方法

摘要：一种减少微尘产生的等离子蚀刻方法，适于在衬底中形成沟渠，其包括以一第一蚀刻条件，对一衬底进行一第一蚀刻步骤，以及以一第二蚀刻条件，对衬底进行第二蚀刻步骤，其中在第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤之间进行一转换步骤，于其中调整反应室压力条件、气体流量、等离子电源功率或反应室温度等环境参数至少其中之一，并使环境参数在蚀刻步骤与转换步骤之间的变化量小于15％，以维持反应环境的稳定，并可由此避免微尘掉落。之后，在进行氧等离子清洁步骤时，使反应室压力提升为40mTorr至80mTorr，进而避免球型缺陷的产生。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410082015.3

专利申请（专利权）人：联华电子股份有限公司

专利发明（设计）人：简俊贤;陈重吉

主权项：1.一种减少微尘产生的等离子蚀刻方法，包括：于设定多个环境参数的一第一环境下，对一衬底进行一第一蚀刻步骤；于设定该些环境参数的一第二环境下进行一转换步骤，其中该第二环境的该些环境参数与该第一环境的该些环境参数的变化量小于15％；以及于设定该些环境参数的一第三环境下，对该衬底进行一第二蚀刻步骤，其中该第三环境的该些环境参数与该第二环境的该些环境参数的变化量小于15％。

专利地区：台湾