凹陷栅以及用于制造具有凹陷栅的半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：凹陷栅以及用于制造具有凹陷栅的半导体器件的方法

摘要：提供了一种凹陷栅以及一种用于制造具有凹陷栅的半导体器件的方法。所述凹陷栅包括：基板；凹陷，其以预定深度被形成在基板的预定部分；栅绝缘层，其被形成在具有凹陷的基板上；栅多晶硅层，其被形成在栅绝缘层上；栅金属层，其被形成在栅多晶硅层上，且填充所述凹陷；以及栅硬掩模，其被形成在栅金属层上。

专利类型：发明专利

专利号：CN200510076710.3

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：刘载善;孔弼九

主权项：1.一种半导体器件的凹陷栅，包括：基板；凹陷，其以预定深度被形成在基板的预定部分；栅绝缘层，其被形成在具有凹陷的基板上；栅多晶硅层，其被形成在栅绝缘层上；栅金属层，其被形成在栅多晶硅层上，且填充所述凹陷；以及栅硬掩模，其被形成在栅金属层上。

专利地区：韩国