量子点形成方法专利登记公告
专利名称:量子点形成方法
摘要:本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤:首先,在一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针在上述金属薄膜上形成一纳米孔洞结构;然后,在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上沉积一第二膜层;最终,去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层,进而在上述基底上获得一量子点。本发明所提供的量子点形成方法,是通过原子力显微探针首先形成预定尺寸的纳米孔洞结构,且由于金属具有有限的热膨胀系数,因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外,本量子点形成方法可避免大量表面能态的产生。
专利类型:发明专利
专利号:CN200410091873.4
专利申请(专利权)人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
专利发明(设计)人:林孟东
主权项:1.一种量子点形成方法,包括下列步骤:在一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针在上述薄膜上形成一纳米孔洞结构;在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上形成一第二膜层;去除上述金属薄膜及位于金属薄膜之上的第二膜层,进而在上述基底上获得一量子点。
专利地区:广东
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