量子点形成方法专利登记公告

专利名称：量子点形成方法

摘要：本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤：首先，在一基底上形成一金属薄膜；采用原子力显微探针在上述金属薄膜上形成一纳米孔洞结构；然后，在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上沉积一第二膜层；最终，去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层，进而在上述基底上获得一量子点。本发明所提供的量子点形成方法，是通过原子力显微探针首先形成预定尺寸的纳米孔洞结构，且由于金属具有有限的热膨胀系数，因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外，本量子点形成方法可避免大量表面能态的产生。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410091873.4

专利申请（专利权）人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

专利发明（设计）人：林孟东

主权项：1.一种量子点形成方法，包括下列步骤：在一基底上形成一金属薄膜；采用原子力显微探针在上述薄膜上形成一纳米孔洞结构；在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上形成一第二膜层；去除上述金属薄膜及位于金属薄膜之上的第二膜层，进而在上述基底上获得一量子点。

专利地区：广东