避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备专利登记公告
专利名称:避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备
摘要:一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法,包含有下列步骤:制作一硅微细结构,其具有一基板,其上具有一结构层,该结构层具有一已被释放的释放部;将该硅微细结构放置于一充满顺磁性的气体的气室中,以及提供一磁场作用于该气体。
专利类型:发明专利
专利号:CN200410104675.7
专利申请(专利权)人:美律实业股份有限公司
专利发明(设计)人:黄尧民;龚诗钦;林中源;何鸿钧;廖禄立
主权项:1.一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法,其特征在于,包含有下列步骤:制作一硅微细结构,其具有一基板,其上具有一结构层,该结构层具有一需已被释放的释放部;提供一具有顺磁性的气体于该结构层的已释放部与该基板之间,以及提供一磁场作用于该气体。
专利地区:台湾
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