一种双极器件隔离的制造方法专利登记公告

专利名称：一种双极器件隔离的制造方法

摘要：一种双极器件隔离的制造方法：在P或N型衬底上，生长一层薄外延；然后淀积掩蔽层，以形成开口，利用RIE等离子刻蚀的方法在外延上蚀刻成尺寸、深度均合适的沟槽，进行穿通阻断注入；多晶淀积，然后去除掩蔽层上的多余的多晶，而在外延开槽的边缘留有多晶；生长绝缘介质，使得沟槽处与掩蔽层等高，多晶作为保护在介质生长中被氧化，从而确保外延同沟槽界面的平整，最后去除掩蔽层，完成整个过程。本发明不需使用CMP技术，通过材料特性实现整体平整，以降低制造成本。另外，利用多晶同衬底结构相似的特点，用多晶作为衬底同绝缘介质之间的缓冲层，一来填补等离子刻蚀的非绝对各向同性造成的沟槽边缘的硅质损失，二来参与后期反应生成绝缘介质，以减少掩蔽层的翻翘。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410099044.0

专利申请（专利权）人：上海贝岭股份有限公司

专利发明（设计）人：楼颖颖

主权项：1.一种双极器件隔离的制造方法，包括下列步骤：1)首先，在P或N型衬底上，生长一层薄外延；2)然后，淀积掩蔽层，以形成开口，利用RIE等离子刻蚀的方法在外延上蚀刻成尺寸、深度均合适的沟槽，进行穿通阻断注入，并推进；3)接着，多晶淀积，然后去除掩蔽层上的多余的多晶，由于RIE等离子刻蚀有一定的各向同性，在外延开槽的边缘留有多晶；4)最后，生长绝缘介质，使得沟槽处与掩蔽层等高，多晶作为保护在介质生长中被氧化，从而确保外延同沟槽界面的平整，最后去除掩蔽层，完成整个过程。

专利地区：上海