在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法专利登记公告

专利名称：在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法

摘要：一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物(residue)的方法，包括下列步骤：(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热；(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一稳定化(stabilization)步骤；(c)利用一等离子体对该半导体基底进行一钝化(passivation)步骤，该等离子体包括水、氮气或氧气所组成的群组；以及(d)进行一包含氧气的剥离(stripping)步骤来移除该残余物。

专利类型：发明专利

专利号：CN200510126830.X

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：哥浅·雷纳多;巴赫曼·詹氏;艾伏伦·狄尔克;卡雷·屋伏;林忠信;林文斌;多瑙鹄·李

主权项：1.一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物的方法，包括下列步骤：(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热；(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一稳定化步骤；(c)利用一等离子体对该半导体基底进行一钝化步骤，该等离子体包括水气、氮气或氧气所组成的群组；以及(d)进行一包含氧气的剥离步骤来移除该残余物。

专利地区：台湾