掩模数据生成方法专利登记公告

专利名称：掩模数据生成方法

摘要：本发明公开了一种掩模数据生成方法。对N型栅极部分算出由于光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第一加工差。接着，对P型栅极部分算出由于光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第二加工差。接着，算出第一加工差和第二加工差的差值(ΔLp)，并利用已算出的差值对已从设计数据抽出的P型栅极部分进行校正。接着，通过对已利用该差值校正了的设计数据施加光强度仿真来生成掩模数据。因此，在含有双栅极结构的半导体集成电路器件的掩模数据中，能够在导电型不同的栅极部分将对由于干蚀刻产生的尺寸差进行的校正组合到光强度仿真中。

专利类型：发明专利

专利号：CN200610009412.7

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：玉置德彦

主权项：1.一种掩模数据生成方法，该方法是通过对由导入第一导电型杂质的第一栅极部分和导入第二导电型杂质的第二栅极部分构成的双栅极进行光强度仿真，校正包含所述双栅极的设计数据，其特征在于：包括：步骤a，对所述第一栅极部分算出由于光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于紧接着所述光刻工序的干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第一加工差，步骤b，对所述第二栅极部分算出由于所述光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于所述干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第二加工差，步骤c，算出所述第一加工差和所述第二加工差的差值，步骤d，利用已算出的所述差值，对

专利地区：日本