含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂专利登记公告

专利名称：含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂

摘要：一种含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂，在成膜树脂配方中引入了可以共聚合的含有机硅的丙烯酸酯类偶联剂单体，同含可交联的碱性可溶基团单体进行共聚合制备成一种新的成膜树脂。这种新的成膜树脂与光致酸、交联剂、溶剂、以及其他添加剂组成光刻胶后，由于含硅丙烯酸酯类偶联剂单元的作用，增加了光刻胶与硅片之间的粘结性能。同时，也改善了抗干刻蚀的性能。进一步说，由于含硅的丙烯酸酯类偶联剂单元在成膜树脂中的存在，其硅片上的光刻胶胶膜在光刻过程中，在曝光区，含硅丙烯酸酯偶联剂中存在的Si-OH基团以及Si-OR基团在光致酸产生的酸作用下将参与同交联剂的交联反应，进一步减少胶膜在显影液中的溶解性。这样就增加了曝光区与非曝光区对比度，而形成更加清晰的光刻图形。

专利类型：发明专利

专利号：CN200610039655.5

专利申请（专利权）人：苏州华飞微电子材料有限公司

专利发明（设计）人：冉瑞成;沈 吉;庄学军

主权项：1、一种含硅偶联剂的共聚物成膜树脂，由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下，通过在溶剂中进行共聚合反应以及相应的后处理制备而成，其特征在于：共聚单体包括：(1)、含硅丙烯酸酯类偶联剂0.5-40份重量；其化学通式：或者式中：n＝1-8；R1＝H或CH3；R2＝C1-C20烷基；R3＝C1-C20烷基；R4＝OH、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；m＝1-8；R5＝H、CH3或CF3；R6＝C1-C20烷基；R6’＝C1-C20烷基；R7＝C1-C20烷基；R7’＝C1-C20烷基；R8＝OH、C1-C2

专利地区：江苏