CDTE/CDS薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法专利登记公告
专利名称：CDTE/CDS薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法
摘要：在p-型半导体CdTe薄膜上形成非整流欧姆接触的方法，该方法包含下列步骤：在环境温度至200℃的衬底温度下在该CdTe层上沉积As2Te3层；在该As2Te3层上沉积Cu层；使至少该沉积的Cu层达到150℃至250℃的温度。该方法用于在CdTe/CdS薄膜太阳能电池上形成稳定的后接触。
专利类型：发明专利
专利号：CN200780100052.4
专利申请（专利权）人：太阳能系统及设备有限公司
专利发明（设计）人：N·罗密欧;A·波西欧;A·罗密欧
主权项：在p-型半导体CdTe薄膜上形成非整流欧姆接触的方法，其特征在于该方法包含下列步骤：a)在环境温度至200℃的衬底温度下在所述CdTe层上沉积As2Te3层，b)在所述As2Te3层上沉积Cu层，c)使至少该沉积的Cu层达到150℃至250℃的温度。
专利地区：意大利
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