用于制造发光器件的方法专利登记公告

专利名称：用于制造发光器件的方法

摘要：根据本发明的用于制造发光器件的方法具有以下的步骤：制备经由蚀刻停止层和牺牲层在具有化合物半导体层的衬底上具有发射层的第一构件；通过在包含硅层的第二构件上接合第一构件以使得发射层位于内侧，形成接合结构；通过从与发射层相反的一侧蚀刻第一构件，在衬底中设置通槽以使得蚀刻停止层被露出；以及通过蚀刻牺牲层从接合结构去除具有在其中设置的通槽的衬底。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109592.3

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：米原隆夫

主权项：一种用于制造发光器件的方法，包括以下的步骤：制备第一构件，所述第一构件经由蚀刻停止层和牺牲层在具有化合物半导体层的衬底上具有发射层；通过在包含硅层的第二构件上接合第一构件以使得所述发射层位于内侧，形成接合结构；通过从与所述发射层相反的一侧蚀刻第一构件，在所述衬底中设置通槽以使得所述蚀刻停止层被露出；和通过蚀刻所述牺牲层，从所述接合结构去除具有在其中设置的所述通槽的所述衬底。

专利地区：日本