在使用MOCVD和HVPE来生长III-V氮化物膜中的寄生微粒抑制专利登记公告

专利名称：在使用MOCVD和HVPE来生长III-V氮化物膜中的寄生微粒抑制

摘要：本发明描述一种在一金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室提供一基板以及向该反应腔室导入一有机金属前驱物、一微粒抑制化合物与至少一第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成一成核层。另外，本发明描述一种在形成一III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室导入一含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含一卤素。也向至反应腔室导入一卤化氢气体与一含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200780100933.6

专利申请（专利权）人：应用材料股份有限公司

专利发明（设计）人：戴维·布尔;雅各布·史密斯;桑迪普·尼杰霍安;洛里·华盛顿;大卫·伊格尔沙姆

主权项：一种在一金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法，该方法包含：向一反应腔室提供一基板；向该反应腔室导入一有机金属前驱物与一微粒抑制化合物；向该反应腔室导入至少一第二前驱物，其中该第二前驱物与该有机金属前驱物反应；以及由包含该有机金属前驱物与该第二前驱物的反应混合物在该基板上形成一成核层。

专利地区：美国