基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法专利登记公告

专利名称：基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法

摘要：本发明公开了一种基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法，该方法包括如下步骤：第1步，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；或者，获知或测量一个光酸扩散长度初始值，以该初始值得到多个猜测值并通过试验筛选出符合精确度要求的猜测值；第2步，使用第1步测量或试验得到的各空间周期和/或关键尺寸的光罩图形所对应的光酸扩散长度建立该光刻胶的OPC模型。本发明所述方法使用不同条件下的光罩图形各自对应的光酸扩散长度建立OPC模型，相较传统的固定光酸扩散长度建立OPC模

专利类型：发明专利

专利号：CN200810043987.X

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：王雷

主权项：一种基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法，其特征是：该方法包括如下步骤：第1步，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；或者，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对一个光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；将该测量值作为初始值，设置扩展范围和扩展步进，在扩展范围内以初始值向高、低两方向按扩展步进得到多个猜测值；分别以初始值和多个猜测值建立临时OPC模型，采用这些临时OPC模型设计不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形并测量光刻后的光刻图形的实际关键尺寸，得到符合精

专利地区：上海