去除光致抗蚀剂的方法及应用该方法的等离子体处理设备专利登记公告

专利名称：去除光致抗蚀剂的方法及应用该方法的等离子体处理设备

摘要：本发明提供一种去除光致抗蚀剂的方法，包括：100)借助于第一种工艺气体对硅片表面的光致抗蚀剂进行刻蚀，以便至少去除光致抗蚀剂上的硬化层；200)借助于第二种工艺气体继续对所述光致抗蚀剂进行刻蚀，以去除剩余的光致抗蚀剂。此外，本发明还提供一种应用上述去除光致抗蚀剂的方法的等离子体处理设备。本发明提供的去除光致抗蚀剂的方法和等离子体处理设备能够快速均匀地去除硅片表面的光致抗蚀剂，并且可有效减小甚至避免对硅片表面的损伤，同时还具有提高生产效率和加工质量等的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN200810226652.1

专利申请（专利权）人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

专利发明（设计）人：朱哲渊

主权项：一种去除光致抗蚀剂的方法，其特征在于，包括下述步骤：100)借助于第一种工艺气体对硅片表面的光致抗蚀剂进行刻蚀，以便至少去除光致抗蚀剂上的硬化层；200)借助于第二种工艺气体继续对所述光致抗蚀剂进行刻蚀，以去除剩余的光致抗蚀剂。

专利地区：北京