在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法专利登记公告

专利名称：在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法

摘要：提供一种沉积薄膜的装置及其方法，以及一种填隙半导体元件中的沟渠的方法。该薄膜沉积装置包括多个基板，其配备于反应器内的相同空间上，其中借由当旋转基板时在预定的时间间隔上将基板暴露于同时供应的两个或多个源气体及蚀刻气体，来重复薄膜的沉积和对已沉积薄膜的部分蚀刻以在多个基板上形成薄膜。根据示例性实施例，可同时地或选择地实施薄膜的沉积和蚀刻，以便沉积具有优良填隙性能的薄膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880025045.7

专利申请（专利权）人：IPS股份有限公司

专利发明（设计）人：朴相俊;韩昌熙;李昊荣;郑成会

主权项：一种用于沉积薄膜的装置，其特征在于，包括：反应器；以及多个基板，配备于所述反应器内的相同空间上，其中借由当旋转所述多个基板时在时间间隔上将所述多个基板暴露于两个或多个源气体及同时供应的蚀刻气体，来重复所述薄膜的沉积以及对所述已沉积的薄膜的部分蚀刻，以在所述多个基板上形成所述薄膜。

专利地区：韩国