制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法专利登记公告

专利名称：制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法

摘要：本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)；分裂所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880108693.9

专利申请（专利权）人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

专利发明（设计）人：H·阿比尔;R·朗热

主权项：一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：-形成包括脆化区(11)的脆化衬底(12)，该脆化区(11)一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物，-在所述脆化衬底(12)的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)，-分裂所述脆化衬底(12)，从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(1B)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(1A)暴

专利地区：法国