穿衬底互连件的形成方法专利登记公告

专利名称：穿衬底互连件的形成方法

摘要：本发明提供一种形成穿衬底互连件的方法，所述方法包含形成进入半导体衬底中的通路。所述通路延伸到所述衬底的半导电材料中。涂施液体电介质，以相对于衬底的从中最初形成所述通路的一侧至少为所述通路的侧壁的正视看来最外面的部分加衬里。使所述通路内的所述液体电介质凝固。在所述通路内在所述凝固电介质上形成导电材料，且用所述导电材料形成穿衬底互连件。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880102877.4

专利申请（专利权）人：美光科技公司

专利发明（设计）人：戴维·普拉特;安迪·珀金斯

主权项：一种形成穿衬底互连件的方法，其循序地包括：形成进入半导体衬底中的通路，所述通路延伸到所述衬底的半导电材料中；涂施液体电介质，以相对于所述衬底的从中最初形成所述通路的一侧至少为所述通路的侧壁的正视看来最外面的部分加衬里；使所述通路内的所述液体电介质凝固；在形成所述通路之后，将钝化电介质沉积在所述衬底的所述侧上并沉积到所述通路内；将所有所述钝化电介质从所述通路内移除；以及在所述通路内在所述凝固的电介质上形成导电材料，并用所述导电材料形成穿衬底互连件。

专利地区：美国