等离子体处理装置和等离子体处理方法专利登记公告

专利名称：等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要：本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：形成进行等离子体处理的处理空间(1)的金属制处理容器(2)；设置在处理空间(1)内，载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器(2)的侧壁，下端延伸到基板载置台(3)的被处理基板载置面的下方的石英制部件(4a)；设置在石英制部件(4a)的底面与金属制处理容器(2)的底壁(2b)之间，从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器2的底壁(2b)的环状石英制部件(6)；和从基板载置台(3)的外周附近向处

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109203.7

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：山下润;壁义郎;北川淳一

主权项：一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：形成进行等离子体处理的处理空间的金属制处理容器；设置在所述处理空间内，载置被处理基板的基板载置台；从所述处理空间遮蔽所述金属制处理容器的侧壁，下端延伸到所述基板载置台的被处理基板载置面的下方的石英制部件；设置在所述石英制部件的底面与所述金属制处理容器的底壁之间，从所述处理空间遮蔽所述金属制处理容器的底壁的环状石英制部件；和从所述基板载置台的外周附近向所述处理空间导入处理气体的处理气体导入部。

专利地区：日本