采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法专利登记公告

专利名称：采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法

摘要：提供了通过原子层沉积形成含金属的膜的方法。该方法包含将至少一种前体基材送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(II)：其中：M是Hf或Zr；R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基。提供了通过液体注射原子层沉积形成含金属的膜的其它方法。这些方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(III)：其中M是Hf或Zr；R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C1-C6-烷基取代1或2次。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880106859.3

专利申请（专利权）人：西格玛-奥吉奇公司

专利发明（设计）人：P·N·黑斯;A·金斯里;宋福全;P·威廉姆斯;T·利斯;H·O·戴维斯;R·奥德拉

主权项：通过原子层沉积形成含金属的膜的方法，该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式II：(式II)其中：M是Hf或Zr；R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基。FPA00001052595700011.tif

专利地区：美国