化合物半导体外延晶片及其制造方法专利登记公告

专利名称：化合物半导体外延晶片及其制造方法

摘要：根据金属有机化合物气相外延法，具有以<100>方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109044.0

专利申请（专利权）人：信越半导体株式会社

专利发明（设计）人：久米史高;筱原政幸

主权项：一种化合物半导体外延晶片，其特征在于，在具有以<100>方向作为基准方向、倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板上，依次层叠由含有两种以上的III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部和厚度为50μm到250μm之间的GaP层，上述GaP层的表面是未研磨面，而且在上述未研磨面上形成的小丘的高度在10μm以下。

专利地区：日本