光电子半导体芯片,光电子器件和用于制造光电子器件的方法专利登记公告

专利名称：光电子半导体芯片,光电子器件和用于制造光电子器件的方法

摘要：本发明提出了一种半导体芯片，其具有接触层(6)，该接触层对于许多常见的应用并不是最佳的。例如，该接触层过薄，以致不能在没有明显的退化的情况下承受针对半导体芯片设计的工作电流。此外，提出了一种光电子器件，半导体芯片可以集成在该器件中，使得补偿了接触层的次优的特性。在该器件中，半导体芯片施加在支承体本体(10)上，使得接触层设置在半导体本体的背离支承体本体的侧上。半导体芯片和支承体本体至少部分地用电绝缘层(3)覆盖，并且施加在绝缘层上的电导体(14)离开半导体本体横向地延伸，并且触碰接触层的至少部分面积。此外

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109239.5

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：埃尔马·鲍尔;沃尔特·韦格莱特

主权项：一种光电子器件，其带有根据权利要求12至15中的任一项所述的光电子半导体芯片和支承体本体，在支承体本体上施加有半导体芯片，使得接触层设置在半导体本体的背离支承体本体的侧上，其中半导体芯片和支承体本体至少部分地用电绝缘层覆盖，并且施加在绝缘层上的电导体触碰接触层的外表面的至少一部分并且离开半导体本体横向地延伸。

专利地区：德国