先进多工件处理室专利登记公告

专利名称：先进多工件处理室

摘要：本发明描述了一种用于在加工工序中处理工件的装置和方法。多晶片室限定出室内部，室内部包括在室内部内的至少两个处理站使得处理站共用室内部。每个处理站包括等离子体源和工件基座，每个处理站被构造用于将工件之一暴露于使用各自的等离子体源的加工工序中。室将室内部的加工压力与室外的环境压力隔绝开。多晶片室包括一个或多个导电表面结构，所述一个或多个导电表面以在每个工件的主表面上产生加工工序的给定水平的一致性的方式关于在每个处理站的工件不对称地设置。屏蔽结构提供工件暴露给各自的等离子体源的改善的一致性，该改善的一致性比不存

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109210.7

专利申请（专利权）人：马特森技术公司

专利发明（设计）人：丹尼尔·J·迪瓦恩;查尔斯·克拉普切特斯;迪克西特·德塞;雷尼·乔治;文森特·C·李;松田裕也;乔纳森·莫恩;瑞安·M·帕库尔斯基;斯蒂芬·E·萨瓦斯;马丁·朱克

主权项：一种用于在加工工序中处理工件的装置，所述装置包括：多晶片室，限定出室内部，该室内部包括在该室内部内的至少两个处理站使得处理站共用该室内部，每个处理站包括等离子体源和工件基座，每个处理站被构造用于使工件之一暴露给使用各自的等离子体源的加工工序，所述多晶片室将所述室内部的加工压力与室外的环境压力隔绝开，所述多晶片室包括一个或多个导电表面结构，所述一个或多个导电表面以在每个工件的主表面上产生加工工序的给定水平的一致性的方式关于在每个处理站的工件不对称地设置；和屏蔽结构，位于所述室内部中，用于每个处理站，每个屏蔽

专利地区：美国